3일차 강의 (1) : 반도체 물성 /다이오드/BJT/MOSFET 정리

| 2020.01.12

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3일차 강의 (1) 는 반도체 내 전류 흐름/ pn접합다이오드 / BJT(Bipolar junction transistor/ MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)에 대해 배웠다


* 배운 내용 정리*

1. pn다이오드
- 확산(diffusion) : 농도가 높은 곳에서 낮은 곳으로 이동
- 열평형 상태에서는 diffusion current와 drift 전류가 같으므로 내부적으로 전류가 0이다! (전류가 흐르지 않는 것이 아님)
- 순방향에서의 다이오드
p->n으로 외부전기장 인가 (p역역에서 +, n역역에서 -) / 내부전기장 감소 / drift 전류 감소 / diuusion current 증가 / p->n 으로 전류 흐름
- 역방향에서의 다이오드
내부 전기장 증가 / drift 전류 증가 / diffusion current 감소

2. BJT
- Collector, Base, Emitter

3. MOSFET (semiconductor가 p type인 경우)
- accumulation : metal(gate)에 negative voltage 인가, metal 전자 축적, semiconductor에 hole 축적 ->평행판 축전기처럼 작동
- depletion : metal(gate)에 positive voltage 인가, metal hole, semiconductor에 공핍층 형성
- inversion : metal(gate)에 더 많은 positive voltage 인가, semiconductor 표면에 electron 형성되어 p-type에서 n-type으로 변함. channel 형성

강의를 들으면서 물성전자에 대한 기본 정리를 했다. 이전에 들었던 수업 내용도 기억나고 강의에서 한 번 더 짚어주어 확실하게 정리할 수 있었다.