전공면접 기출 해설 소자 (mosfet)을 수강 후기

| 2019.11.19

hon**

2강으로 구성된 전공면접 기출 해설 소자 (mosfet)을 수강했습니다.

1강은 소자기초와 소자기초 관련 문제 상황이 주어졌을 때 어떻게 대응하는지에 관한 내용이었습니다.

복습은 메모리 일반에 대한 이해
NAND FLASH - 기본 구조, 동작 원리, 종류별 차이, MLC는? 문제점과 대책, 기술 trend는?
DRAM - 기본 구조, 동작 원리, 특성 변수, Capacitor는? 문제점과 대책, 기술trend는?
NEW MEMORY - PRAM, MRAM, RRAM, TSV? 기술 한계, 기술 Trend는?

각각을 아는 만큼, 항목 별로 술술 외워 말할 수 있을 정도로 알아둬야한다고 했습니다.

N영역과 P영역이 만들어지면 전기적인 Potential이 자연스럽게 형성되고 이것을 Built in potential이라 한다.
Depletion area – Career가 소거 된 영역이다. 전기적으로 보면 Insulator 영역이다. 이 영역을 물리적으로 설명할 수 있는 depletion capacitance로 설명 가능하다. 주로 Width에 좌우 되는데 반비례한다.

1번의 경우가 동일한 전압일 때 전류가 더 많이 흐르니까 성능적으로 더 좋다라고 볼 수 있다.
이런 경우를 transistor의 Swing이 낮은 경우이고 이렇게 작업을 해야한다. 그러면 이 작업을 하기 위해서는 옥사이드 두께를 낮추거나, 기판의 도핑을 낮추는 작업을 하는 방법이 있다. 이론적으로는 Swing이 가질 수 있는 Minimum의 갚이 있는데 이 수치는 대략 100 정도가 된다. << 높은 점수를 받을 수 있는 답변.

- PN Junction에 대하여 설명하시오 라고 했을 때 답변 전략 요약.

각 항목에 대해 자세한 설명과 학부 시절 직접 강의를 들었던 내용을 핵심만 추려내어 면접에서 필요하게 구성된 강의였습니다. 사진 자료와 그림을 통해 친절히 설명해주셨기 때문에 이해에 많은 도움이 되었고 추후 반도체 전공면접에서 여러 항목의 질문에 대해 준비할 수 있는 계기가 되었습니다.